Pengetahuan umum tentang sputtering magnetron pelapis vakum- Ningbo Danko Vacuum Technology Co., Ltd.

Pengetahuan umum tentang sputtering magnetron pelapis vakum

Dc Sputtering Magnetron , RF magnetron sputtering, sputtering magnetron berdenyut dan sputtering magnetron fre2quency sedang

Sputtering reaktif adalah untuk memperkenalkan proporsi gas reaktif tertentu ke dalam atmosfer gas inert dalam sistem sputtering. Biasanya, gas reaktif utama adalah oksigen dan nitrogen.

Metode sputtering DC digunakan dalam sputtering dan lapisan sputtering reaktif di mana bahan sputtered adalah bahan konduktif, dan peralatan prosesnya sederhana dan memiliki laju sputtering yang tinggi.

Dalam satu sistem target katoda, sputtering magnetron frekuensi sedang memiliki efek muatan yang sama dan efek pencegahan busur seperti sputtering magnetron pulsa. Teknologi sputtering AC frekuensi menengah juga diterapkan pada sistem sputtering target kembar (twin2mag). Frekuensi menengah AC target target sputtering adalah untuk menghubungkan dua ujung output dari catu daya AC frekuensi menengah ke masing -masing katoda dari medan magnet tertutup yang tidak seimbang target ganda. Oleh karena itu, tegangan bergantian dengan fase yang berlawanan masing -masing diperoleh pada target ganda, dan sepasang target sputtering magnetron secara bergantian menjadi katoda dan anoda.

Teknologi sputtering target kembar sangat meningkatkan stabilitas operasi sputtering magnetron, yang dapat menghindari akumulasi muatan pada permukaan target yang beracun, menyebabkan masalah pengapian busur pada permukaan target dan hilangnya anoda. Letakkan fondasi untuk produksi massal.

Mesin pelapis sputtering magnetron

Lapisan ion & sputtering multi-arc dapat disimpan dalam berbagai warna. Rentang warna dapat ditingkatkan lebih lanjut dengan memasukkan gas reaktif ke dalam ruang selama proses pengendapan. Gas reaktif yang banyak digunakan untuk pelapis dekoratif adalah nitrogen, oksigen, argon atau asetilena. Lapisan dekoratif diproduksi dalam rentang warna tertentu, tergantung pada rasio logam-terhadap-gas dalam lapisan dan struktur lapisan. Kedua faktor ini dapat diubah dengan mengubah parameter deposisi.

Sebelum deposisi, bagian -bagian dibersihkan sehingga permukaan bebas dari debu atau kotoran kimia. Setelah proses pelapisan dimulai, semua parameter proses yang relevan terus dipantau dan dikendalikan oleh sistem kontrol komputer otomatis.

Membagikan: